[发明专利]一种钙钛矿2D/3D LED结构及制备方法有效
| 申请号： | 202010022859.8 | 申请日： | 2020-01-09 |
| 公开（公告）号： | CN111192970B | 公开（公告）日： | 2021-01-05 |
| 发明（设计）人： | 毕胜;李钰;孙业青;卜镜元 | 申请（专利权）人： | 大连理工大学 |
| 主分类号： | H01L51/50 | 分类号： | H01L51/50;H01L51/54;H01L51/56 |
| 代理公司： | 大连理工大学专利中心 21200 | 代理人： | 隋秀文;温福雪 |
| 地址： | 116024 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明属于新型电子元器件制备领域，特别涉及一种钙钛矿2D/3D LED结构及制备方法。本发明显著改善了LED在高湿度下未密封的薄膜和器件的水分稳定性；2D覆盖层在2D‑3D钙钛矿薄膜中引起更大的费米能级分裂，从而导致更高的开启电压：在2D‑3D钙钛矿设备中，空穴提取也得到了促进，减少了能带排列和在亚能隙状态的非辐射复合。本发明的结构简单紧凑，无需额外添加钝化剂，兼顾二维与三维材料的优点，能提升钙钛矿LED的性能并同时获得长期稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 钙钛矿 led 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
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