[发明专利]一种片上平面式微型电离真空传感器和制造方法有效
| 申请号： | 202010019531.0 | 申请日： | 2020-01-08 |
| 公开（公告）号： | CN111141448B | 公开（公告）日： | 2021-10-19 |
| 发明（设计）人： | 杨威;刘文超;魏贤龙 | 申请（专利权）人： | 北京大学（天津滨海）新一代信息技术研究院 |
| 主分类号： | G01N27/70 | 分类号： | G01N27/70;G01L21/30 |
| 代理公司： | 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 | 代理人： | 付婧 |
| 地址： | 300452 天津市滨海新*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种片上平面式微型电离真空传感器和制造方法，包括：位于同一衬底上的电子源和多个环形电极；所述电子源，用于发射电子；多个所述环形电极环绕在所述电子源外，用于根据输入电压，对所述电子施加正偏压，收集电子，确定电子电流，或对离子施加负偏压，收集离子，确定离子电流。使用位于同一衬底上的电子源和多个环形电极能够减小电离真空传感器的体积和质量；使用片上电子源能够降低耗能和产热，从而减少放气；通过从多个环绕在所述电子源外的环形电极中选择两个，能够选择量程范围；由于能够采用微纳加工的加工方式大批量的制备，因此能够提高生产效率，降低生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 平面 式微 电离 真空 传感器 制造 方法 | ||
【主权项】：
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