[发明专利]一种应用于SOI工艺集成电路芯片的静电保护装置

摘要

本发明提供了一种应用于SOI工艺集成电路芯片的静电保护装置，包括半导体衬底、埋氧层、P型阱区、P型体接触区、N型阱区、N型接触区和P型接触区，P型阱区、P型体接触区、N型阱区、N型接触区和P型接触区均位于所述埋氧层之上的硅膜区内，P型体接触区的一部分伸入所述N型阱区，P型体接触区伸入所述N型阱区部分与N型阱区和P型接触区构成侧边触发BJT，P型阱区、N型阱区、P型接触区和N型接触区构成的PNPN结构构成可控硅，侧边触发BJT作为可控硅的触发机构，解决了SOI工艺中利用可控硅或者类可控硅作为静电保护装置时开启电压不可控且电压过大的问题，达到调制SOI工艺中可控硅或者类可控硅开启电压的目的，大幅度降低SOI工艺中可控硅或类可控硅的开启电压。