[发明专利]使用镓的离子植入工艺及设备有效
| 申请号： | 201980057575.8 | 申请日： | 2019-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN112655066B | 公开（公告）日： | 2022-04-01 |
| 发明（设计）人： | J·D·斯威尼;J·R·德普雷斯;唐瀛;S·N·叶达弗;E·E·约内斯;O·比尔 | 申请（专利权）人： | 恩特格里斯公司 |
| 主分类号： | H01J27/20 | 分类号： | H01J27/20;H01J37/08;H01J37/317 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 李婷 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明描述一种用于离子植入的离子源设备，其包含：离子源腔；及可消耗结构，其在所述离子源腔中或与所述离子源腔相关联，其中所述可消耗结构包含固体掺杂剂源材料，所述固体掺杂剂源材料易于与反应气体反应以将掺杂剂以气态形式释放到所述离子源腔，其中所述固体掺杂剂源材料包括氮化镓、氧化镓或其组合，其中的任一者可关于镓同位素富含同位素。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 离子 植入 工艺 设备 | ||
【主权项】：
暂无信息
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