[实用新型]一种异性钐钴磁体结构有效

专利信息
申请号: 201921209968.X 申请日: 2019-07-30
公开(公告)号: CN210167200U 公开(公告)日: 2020-03-20
发明(设计)人: 卜海飞 申请(专利权)人: 桐庐创新磁业有限公司
主分类号: H01F7/02 分类号: H01F7/02;H01F27/22
代理公司: 杭州五洲普华专利代理事务所(特殊普通合伙) 33260 代理人: 丁少华
地址: 310000 浙*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 实用新型涉及钐钴磁体技术领域,尤其为一种异性钐钴磁体结构,包括钐钴磁体,所述钐钴磁体的正面开设有圆槽,所述圆槽内固定连接有导热杆,所述导热杆上且位于钐钴磁体的正面固定连接有导热板,所述导热板的两侧固定连接有第一连接杆,所述导热板的顶部和底部固定连接有第二连接杆,所述导热杆远离导热板一端且位于钐钴磁体的背面固定连接有散热板,所述散热板远离导热杆一侧开设有散热孔,所述导热杆的两侧且靠近导热板位置处固定连接有前支撑杆,通过设置导热板,导热杆,散热板,散热孔,解决了目前钐钴磁体在使用时,若使用时的温度超过相应温度时,其磁能积和矫顽力会大大降低,甚至会导致钐钴磁体的损坏的问题。
搜索关键词: 一种 异性 磁体 结构
【主权项】:
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