[实用新型]用于MOCVD反应室的加热装置及MOCVD反应室有效
| 申请号： | 201920975363.5 | 申请日： | 2019-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN210458363U | 公开（公告）日： | 2020-05-05 |
| 发明（设计）人： | 王志升 | 申请（专利权）人： | 东泰高科装备科技有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/46 | 分类号： | C23C16/46;C30B25/10 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 梁文惠 |
| 地址： | 102209 北京市昌平*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种用于MOCVD反应室的加热装置及MOCVD反应室。加热装置位于MOCVD反应室的筒状基片载台内且与筒状基片载台连接，加热装置包括：第一加热组件，包括多个与筒状基片载台连接的第一加热结构；第二加热组件，沿筒状基片载台的轴线方向，第二加热组件位于第一加热组件的一侧，第二加热组件包括多个与筒状基片载台连接的第二加热结构；和/或第三加热组件，沿筒状基片载台的轴线方向，第三加热组件位于第一加热组件的另一侧，第三加热组件包括多个与筒状基片载台连接的第三加热结构；其中，第一加热组件和/或第二加热组件和/或第三加热组件同步运行。本实用新型解决了现有技术中加热装置存在温差，影响电池基片沉积效果的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 mocvd 反应 加热 装置 | ||
【主权项】：
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
