[发明专利]一种导流筒装置和拉晶炉有效
申请号: | 201911357718.5 | 申请日: | 2019-12-25 |
公开(公告)号: | CN110965118B | 公开(公告)日: | 2022-04-15 |
发明(设计)人: | 杨帅军 | 申请(专利权)人: | 西安奕斯伟材料科技有限公司;西安奕斯伟硅片技术有限公司 |
主分类号: | C30B15/00 | 分类号: | C30B15/00;C30B29/06 |
代理公司: | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人: | 刘长春 |
地址: | 710000 陕西省西安市*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | 本发明公开了一种导流筒装置,包括上导流筒;下导流筒,所述下导流筒设置于所述上导流筒的下方;气流通道,所述气流通道位于所述上导流筒与所述下导流筒之间并且用于分流气体;所述下导流筒的上边缘位于晶棒的预设位置的下方。本发明的导流筒装置能够使得只有少量惰性气体会流经被下导流筒内表面包围的晶棒上,最终使多数惰性气体在晶棒上产生空洞型缺陷对应的高度处被分流到导流筒装置外侧,在晶棒的生长期间使处于空洞型缺陷形核与生长的等温线以下的晶棒的温度梯度变小,在拉晶速度一定时给空位和自间隙原子足够的时间发生复合,极大地抑制了晶棒中的空位浓度,有效的减小空洞型缺陷的生长尺寸,提高晶棒的质量。 | ||
搜索关键词: | 一种 导流 装置 拉晶炉 | ||
【主权项】:
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