[发明专利]一种高能离子注入机束流的调节装置和调节方法有效
| 申请号： | 201911334322.9 | 申请日： | 2019-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN111146060B | 公开（公告）日： | 2022-04-01 |
| 发明（设计）人： | 陈张发;曾绍海 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/24 | 分类号： | H01J37/24;H01J37/317 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;尹一凡 |
| 地址： | 201210 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种高能离子注入机束流的调节装置和方法，该装置包括离子源单元、吸极、磁分析器、第一和第二法拉第单元、反馈调节单元、加速单元、聚焦单元、扫描单元、偏转单元、透镜组以及靶室；离子被离子源单元旁边的吸极吸出，第一法拉第单元用于测定离子束流大小参数，第二法拉第单元设置于加速单元之前，测定离子束流的形状和位置参数；反馈调节单元接收并根据第一法拉第单元测定的离子束流大小，以及第二法拉第单元测定的离子束流的形状和位置，通过调整离子源单元的内部参数、吸极的位置参数和/或磁分析器参数，控制进入加速单元前的离子束流的大小、形状和位置参数达到加速单元最佳菜单中的离子束流的大小、形状和位置参数的要求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高能 离子 注入 机束流 调节 装置 方法 | ||
【主权项】：
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