[发明专利]一种高强度钕铁硼磁体及其制备方法有效
| 申请号： | 201911320487.0 | 申请日： | 2019-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN111128503B | 公开（公告）日： | 2021-07-23 |
| 发明（设计）人： | 查善顺;刘友好;曹玉杰;黄秀莲;陈静武;衣晓飞;熊永飞 | 申请（专利权）人： | 安徽大地熊新材料股份有限公司 |
| 主分类号： | H01F1/057 | 分类号： | H01F1/057;H01F41/02;H01F41/18 |
| 代理公司： | 合肥天明专利事务所(普通合伙) 34115 | 代理人： | 张梦媚 |
| 地址： | 231500 *** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高强度钕铁硼磁体及其制备方法，其以钕铁硼磁体作为母材基体，在所述钕铁硼磁体的表面设有金属镀层，所述金属镀层包括至少一层金属单质镀层，其特征在于，所述金属镀层上还设有石墨烯薄膜层。本发明在钕铁硼磁体常规金属镀层表面制得石墨烯薄膜，由于石墨烯的高强度特性，使得磁体表面具有极高的强度，同时网状结构的石墨烯薄膜能够减小金属镀层的脱落，从而获得高强度和高稳定性的钕铁硼磁体。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 强度 钕铁硼 磁体 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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