[发明专利]一种基于片层晶体阵列的高能光子检测装置在审
| 申请号： | 201911190851.6 | 申请日： | 2019-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN110926622A | 公开（公告）日： | 2020-03-27 |
| 发明（设计）人： | 许剑锋;叶百合子;陈肖;解强强;谢思维;彭旗宇 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | G01J11/00 | 分类号： | G01J11/00 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人： | 李智;孔娜 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明属于晶体探测器领域，并具体公开了一种基于片层晶体阵列的高能光子检测装置，包括片层晶体阵列结构和光电传感器阵列层，片层晶体阵列结构由数个片层晶体阵列层叠而成，相邻的片层晶体阵列之间设置有光反射层，且光反射层上开设有透光窗口；光电传感器阵列层与所述片层晶体阵列结构耦合在一起；检测时，高能光子在片层晶体阵列中发生衰减反应，产生可见光子群，该可见光子群由光反射层反射或通过透光窗口进入相邻片层晶体阵列，最终由光电传感器阵列层接收，从而获得光分布情况，进而得到高能光子的反应位置和反应深度，完成检测。本发明片层晶体阵列之间解码过程互不影响，得到与反应深度相关的光分布信息，解码精度高且结构简单。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 晶体 阵列 高能 光子 检测 装置 | ||
【主权项】：
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