[发明专利]采用双磁致伸缩单元磁路结构的差分谐振式磁传感器在审
| 申请号： | 201911129439.3 | 申请日： | 2019-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN110988756A | 公开（公告）日： | 2020-04-10 |
| 发明（设计）人： | 彭伟民;卞雷祥;黄子军;朱志伟;李辉;王明洋;戎晓力;贾云飞 | 申请（专利权）人： | 南京理工大学 |
| 主分类号： | G01R33/032 | 分类号： | G01R33/032 |
| 代理公司： | 南京理工大学专利中心 32203 | 代理人： | 岑丹 |
| 地址： | 210094 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明提出了一种采用双磁致伸缩单元磁路结构的差分谐振式磁传感器，包括2个谐振式磁敏感单元、2个永磁体、振荡电路，所述永磁体设置在2个谐振式磁敏感单元之间，每个谐振式磁敏感单元均包括高Q值谐振器、磁致伸缩单元，所述磁致伸缩单元设置在高Q值谐振器下侧；所述永磁体被设置为磁力线由永磁体的N极发出，经由磁致伸缩单元回到另一个永磁体的S极，构成一个闭合的磁回路；所述高Q值谐振器任意一端的两个电极与振荡电路连接。本发明中双磁致伸缩单元差分磁路结构紧凑、体积小巧，可为谐振式磁传感器提供最佳偏置磁场。 | ||
| 搜索关键词： | 采用 双磁致 伸缩 单元 磁路 结构 谐振 传感器 | ||
【主权项】：
暂无信息
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