[发明专利]一种薄膜晶体管和显示面板

摘要

本发明公开一种薄膜晶体管和显示面板。薄膜晶体管包括衬底；位于衬底上层叠设置的半导体层、栅极绝缘层和栅极；半导体层包括接触设置的第一半导体层和第二半导体层，第二半导体层的载流子迁移率小于第一半导体层的载流子迁移率，半导体层包括沟道区以及位于沟道区两侧的源极区和漏极区；第一半导体层位于沟道区的部分与源极区之间设置有第一凹槽，和/或第一半导体层位于沟道区的部分与漏极区之间设置有第一凹槽；栅极绝缘层靠近栅极的表面对应第一凹槽的部分设有第二凹槽，第二凹槽内设有填充结构，构成填充结构的材料的介电常数大于栅极绝缘层的介电常数。本发明能够降低薄膜晶体管的漏电流及其阈值电压，提高薄膜晶体管的性能。

主权项

1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：/n衬底；/n位于所述衬底上层叠设置的半导体层、栅极绝缘层和栅极；/n所述半导体层包括接触设置的第一半导体层和第二半导体层，所述第二半导体层的载流子迁移率小于所述第一半导体层的载流子迁移率，所述半导体层包括沟道区以及位于所述沟道区两侧的源极区和漏极区，所述源极区和所述漏极区位于所述第一半导体层；/n所述第一半导体层位于所述沟道区的部分与所述源极区之间设置有第一凹槽，和/或所述第一半导体层位于所述沟道区的部分与所述漏极区之间设置有第一凹槽；/n所述栅极在所述衬底上的正投影覆盖所述第一凹槽及所述沟道区在所述衬底上的正投影，沿垂直于所述衬底的方向，所述栅极绝缘层靠近所述栅极的表面对应所述第一凹槽的部分设有第二凹槽，所述第二凹槽内设有填充结构，构成所述填充结构的材料的介电常数大于所述栅极绝缘层的介电常数。/n