[发明专利]一种三态门在审
| 申请号： | 201910997354.0 | 申请日： | 2019-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN110708057A | 公开（公告）日： | 2020-01-17 |
| 发明（设计）人： | 沈孙园 | 申请（专利权）人： | 杭州宽福科技有限公司 |
| 主分类号： | H03K19/20 | 分类号： | H03K19/20 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 310012 浙江省杭州市西湖*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种三态门。一种三态门包括第一PMOS管、第二PMOS管、第一NMOS管和第第二NMOS管。利用本发明提供的三态门可以得到三个稳定的电路输出状态。 | ||
| 搜索关键词： | 三态门 电路输出状态 | ||
【主权项】：
1.一种三态门，其特征在于：包括第一PMOS管、第二PMOS管、第一NMOS管和第第二NMOS管；/n所述第一PMOS管的栅极接输入端B，漏极接所述第二PMOS管的源极，源极接电源电压VCC；所述第二PMOS管的栅极接输入端A，漏极接所述第一NMOS管的漏极并作为三态门的输出端OUT，源极接所述第一PMOS管的漏极；所述第一NMOS管的栅极接输入端A，漏极接所述第二PMOS管的漏极并作为三态门的输出端OUT，源极接所述第二NMOS管的漏极；所述第二NMOS管的栅极接输入端B，漏极接所送第一NMOS管的源极，源极接地。/n
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