[发明专利]基于单层修饰MXene的电存储材料及其制备方法与在制备电存储器件中的应用有效
| 申请号： | 201910955506.0 | 申请日： | 2019-10-09 |
| 公开（公告）号： | CN110783456B | 公开（公告）日： | 2023-05-02 |
| 发明（设计）人： | 路建美;贺竞辉 | 申请（专利权）人： | 苏州大学 |
| 主分类号： | H10N70/20 | 分类号： | H10N70/20 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 孙周强;陶海锋 |
| 地址： | 215137 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了基于单层修饰MXene的电存储材料及其制备方法与在制备电存储器件中的应用。将烷基膦酸与MXene混合后离心处理，得到单层修饰MXene；将单层修饰MXene制备成膜，得到基于单层修饰MXene的电存储材料。与传统的器件相比，本发明中烷基膦酸修饰的单层MXene薄膜电存储器件的开启电压低，且不同阻态得到了很好区分。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 单层 修饰 mxene 存储 材料 及其 制备 方法 器件 中的 应用 | ||
【主权项】：
1.单层修饰MXene在制备电存储材料或者电存储器件中的应用。/n
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