[发明专利]TiO2

摘要

本发明公开一种锂离子电池TiO2纳米阵列限域氧化锑负极的制备方法及负极，该负极包括导电集流体基底、生长在基底上的由纳米孔阵列和网状微米孔组成的多孔二氧化钛，以及填充于纳米阵列管道中和微米网格孔洞中的Sb2O3。由于Sb2O3进入TiO2基体的纳米孔阵列和微米网孔中，在充放电过程中能够为Sb2O3的体积膨胀提供有向容纳空间，防止Sb2O3脱落丧失活性；TiO2具有一维稳定的导电通路，为复合负极的离子、电子传输提供保障，其本身也具有170mAh·g‑1的理论比容量；纳米级的Sb2O3也有利于释放嵌锂应力，缩短离子、电子迁移路径。

主权项

1.一种锂离子电池TiO₂纳米阵列限域氧化锑负极的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：/n(1)将金属钛片置于(CH₂OH)₂和NH₄F的混合溶液中，钛片的一侧与金属铂相对，形成二电极，在二者之间加入电源，其中电源正极与钛片相连，负极与金属铂相连，钛片的另一侧保护处理以作为集流体；在两电极之间施加恒定电压，使金属钛片发生阳极氧化，预设时间后关闭电源，取出钛片并清洗干燥，得到由纳米孔阵列和网状微米孔组成的多孔二氧化钛；/n(2)称取预设质量的氧化锑，置于加热管的加热区，将上述二氧化钛置于加热区边缘的沉积区，加热管的一端密闭，另一端连接机械泵或分子泵，将加热管抽到预设真空度，并加热到预设温度并保温预设时间，使氧化锑升华并在二氧化钛表面沉积，得到TiO₂纳米阵列/Sb₂O₃负极；/n(3)将上述TiO₂纳米阵列/Sb₂O₃负极置于加热炉中，常压加热到Sb₂O₃熔点以上，使Sb₂O₃进入二氧化钛的多孔结构中，冷却，最终得到TiO₂纳米阵列限域氧化锑负极。/n