[发明专利]一种基于光伏废硅的硅碳负极材料及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201910775618.8 申请日: 2019-08-21
公开(公告)号: CN110474032B 公开(公告)日: 2021-06-25
发明(设计)人: 刘艳侠;范亚蒙;刘凡;王璞;张锁江;阮晶晶 申请(专利权)人: 郑州中科新兴产业技术研究院;中国科学院过程工程研究所
主分类号: H01M4/36 分类号: H01M4/36;H01M4/38;H01M4/583;H01M4/62;H01M10/0525;B82Y30/00
代理公司: 郑州优盾知识产权代理有限公司 41125 代理人: 张志军
地址: 450000 河南省郑*** 国省代码: 河南;41
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摘要: 发明提供了一种基于光伏废硅的硅碳负极材料及其制备方法。所述制备方法包括以下步骤:(1)将收集的废硅料粉碎、干燥得到废硅粉;(2)将废硅粉置于惰性气氛中进行高温除杂,经过酸洗纯化和干燥后得到高纯硅粉;(3)将高纯硅粉加入到分散介质中,经高速球磨获得纳米硅溶液;(4)将该纳米硅溶液收集并调整固含,按照一定比例加入有机碳源、导电剂和分散剂后砂磨混合均匀;(5)将混合溶液喷雾干燥并煅烧,最后获得硅碳负极材料。该方法所制备的硅碳负极材料首效高、循环稳定性好,制备方法具有成本优势、操作简单、适合产业化生产。
搜索关键词: 一种 基于 光伏废硅 负极 材料 及其 制备 方法
【主权项】:
1.一种基于光伏废硅的硅碳负极材料,其特征在于:所述硅碳负极材料为类球形的硅碳复合负极材料,有机物热解形成的无定型碳包覆在片状纳米硅的表层,内部由包覆后的片状纳米硅和导电剂构成;所述片状纳米硅是由光伏产业在切削晶体硅片时产生的边角料经过处理得到的,片状纳米硅的粒径为50~200 nm,厚度为10~50nm;各组分的质量占比分别为:片状纳米硅50%~90%,导电剂5~20%,有机物裂解碳10~30%。/n
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