[发明专利]一种TiO2双层薄膜间嵌入AgNWs的复合电极、钙钛矿太阳能电池及其制备方法

摘要

本发明提供了一种TiO₂双层薄膜间嵌入AgNWs的复合电极、钙钛矿太阳能电池及其制备方法，复合电极的制备过程包括TiO₂致密电子传输层制备、TiO₂上表面沉积AgNWs的电极的制备和TiO₂双层薄膜间嵌入AgNWs的复合电极的制备；本发明还保护包含上述复合电极的钙钛矿太阳能电池及其制备方法；本发明有效抑制钙钛矿薄膜和TiO₂之间形成空间限制电荷，提升激子的分离和输运；同时提高钙钛矿薄膜中光电子的传输速度，提高光电转换效率和填充因子，抑制迟滞；并且提升钙钛矿薄膜的质量，优化钙钛矿薄膜与下层空穴传输层的接触，有效提升了器件的光电转换效率，具有较高的现实意义。

主权项

1.一种TiO₂双层薄膜间嵌入AgNWs的复合电极的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、TiO₂致密电子传输层的制备：将制备得到的TiO₂溶胶凝胶沉积到基板上，干燥后再次沉积使表面平整，并在空气氛围中于350～400℃退火30～40min，得到TiO₂致密电子传输层；S2、TiO₂上表面沉积AgNWs的电极的制备：将AgNWs分散在乙二醇中得到质量浓度为5mg/mL的AgNWs分散液，然后将AgNWs分散液沉积在S1得到的TiO₂致密电子传输层上，并在空气氛围中于180～200℃退火20～30min，得到TiO₂上表面沉积AgNWs的电极；S3、TiO₂双层薄膜间嵌入AgNWs的复合电极的制备：将制备得到的TiO₂纳米晶沉积到S2得到的TiO₂上表面沉积AgNWs的电极上，并在空气氛围中于100～300℃退火10～120min，得到TiO₂双层薄膜间嵌入AgNWs的复合电极。