[发明专利]气体传感器及其制备方法和应用有效
| 申请号： | 201910720998.5 | 申请日： | 2019-08-06 |
| 公开（公告）号： | CN110297027B | 公开（公告）日： | 2022-02-15 |
| 发明（设计）人： | 刘林;秦素洁;张珽;王颖异 | 申请（专利权）人： | 西交利物浦大学 |
| 主分类号： | G01N27/30 | 分类号： | G01N27/30 |
| 代理公司： | 苏州谨和知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32295 | 代理人： | 叶栋 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种多孔高分子薄膜、气体传感器及其制备方法和应用，该气体传感器的制备方法包括以下步骤：S1、提供衬底，在所述衬底上旋涂光刻胶，采用自上而下的方法依次通过曝光、显影和去残胶在所述衬底上形成光刻图案，再通过蒸镀或磁控溅射制备所述金属电极阵列，以得到芯片衬底；S2、在所述芯片衬底上组装多孔高分子薄膜，在所述多孔高分子薄膜上自下而上原位生长气体敏感材料；S3、除去所述高分子薄膜，在100～500℃、惰性气氛或还原性气氛下进行退火，得到所述气体传感器。其结合“自上而下”和“自下而上”的方法，能批量化、低成本、图案化原位生长和制备气体传感器，提高器件的稳定性、一致性和可重复性性能。 | ||
| 搜索关键词： | 气体 传感器 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
1.一种气体传感器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、提供衬底，在所述衬底上旋涂光刻胶，采用自上而下的方法依次通过曝光、显影和去残胶在所述衬底上形成光刻图案，再通过蒸镀或磁控溅射制备所述金属电极阵列，以得到芯片衬底；S2、在所述芯片衬底上组装多孔高分子薄膜，在所述多孔高分子薄膜上自下而上原位生长气体敏感材料；S3、除去所述高分子薄膜，在100～500℃、惰性气氛或还原性气氛下进行退火，得到所述气体传感器。
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