[发明专利]测试半导体器件的系统和方法以及制造半导体器件的方法在审
| 申请号： | 201910675475.3 | 申请日： | 2019-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN110783215A | 公开（公告）日： | 2020-02-11 |
| 发明（设计）人： | 金俊培;赵容晧 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L21/67 |
| 代理公司： | 11105 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 张波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明涉及测试半导体器件的系统和方法以及制造半导体器件的方法。该半导体器件测试系统可以包括：主体，提供其中装载测试器件的内部空间；以及盖，联接到主体以覆盖内部空间。盖可以包括第一盖和第二盖，第一盖包括二维布置的第一开口，第二盖包括二维布置的第二开口。第一开口的布置可以不同于第二开口的布置。 | ||
| 搜索关键词： | 开口 二维布置 半导体器件测试 测试半导体器件 半导体器件 测试器件 装载 覆盖 制造 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件测试系统，包括：/n主体，包括其中装载测试器件的内部空间；以及/n盖，联接到所述主体以覆盖所述内部空间，/n其中所述盖包括：/n包括第一开口的第一盖；和/n包括第二开口的第二盖，以及/n所述第一开口的布置不同于所述第二开口的布置。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
