[发明专利]GOA电路在审
| 申请号： | 201910641805.7 | 申请日： | 2019-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN110415648A | 公开（公告）日： | 2019-11-05 |
| 发明（设计）人： | 薛炎 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号： | G09G3/3266 | 分类号： | G09G3/3266;G09G3/3225 |
| 代理公司： | 深圳市德力知识产权代理事务所 44265 | 代理人： | 林才桂;刘巍 |
| 地址： | 518132 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种GOA电路。该GOA电路包括多个级联的GOA单元，第n级GOA单元包括：第一薄膜晶体管(T1)，第二薄膜晶体管(T2)，第三薄膜晶体管(T31)，第四薄膜晶体管(T32)，第五薄膜晶体管(T41)，第六薄膜晶体管(T42)，以及存储电容(Cbt)；所述第一薄膜晶体管(T1)、第二薄膜晶体管(T2)、第四薄膜晶体管(T32)、第五薄膜晶体管(T41)以及第六薄膜晶体管(T42)中至少其中之一为双栅极薄膜晶体管，所述双栅极薄膜晶体管的顶栅分别作为所述栅极连接于所述GOA单元中，所述双栅极薄膜晶体管的底栅分别连接对应的电位可调的底栅电压。本发明的GOA电路能够实现GOA电路中TFT的阈值电压Vth可调节；实现每颗TFT的阈值电压Vth的独立控制。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 双栅极 阈值电压 底栅 电位 存储电容 独立控制 栅极连接 可调的 可调节 顶栅 级联 | ||
【主权项】：
1.一种GOA电路，其特征在于，包括多个级联的GOA单元，设n为自然数，负责输出第n级水平扫描信号(G(n))的第n级GOA单元包括：第一薄膜晶体管(T1)，其栅极连接第一时钟信号(CK1)，源极和漏极分别连接来自前一级GOA单元的级传信号(G(n－1))和第一节点(Q)；第二薄膜晶体管(T2)，其栅极连接第一节点(Q)，源极和漏极分别连接第二时钟信号(CK2)和第n级水平扫描信号(G(n))输出端；第三薄膜晶体管(T31)，其栅极连接电源高电压(VGH)，源极和漏极分别连接电源高电压(VGH)和第二节点(QB)；第四薄膜晶体管(T32)，其栅极连接第一节点(Q)，源极和漏极分别连接第二节点(QB)和直流低电压(VGL)；第五薄膜晶体管(T41)，其栅极连接第二节点(QB)，源极和漏极分别连接第n级水平扫描信号(G(n))输出端和直流低电压(VGL)；第六薄膜晶体管(T42)，其栅极连接第二节点(QB)，源极和漏极分别连接第一节点(Q)和直流低电压(VGL)；存储电容(Cbt)，其两端分别连接第一节点(Q)和第n级水平扫描信号(G(n))输出端；所述第一薄膜晶体管(T1)、第二薄膜晶体管(T2)、第四薄膜晶体管(T32)、第五薄膜晶体管(T41)以及第六薄膜晶体管(T42)中至少其中之一为双栅极薄膜晶体管，所述双栅极薄膜晶体管的顶栅分别作为所述栅极连接于所述GOA单元中，所述双栅极薄膜晶体管的底栅分别连接对应的电位可调的底栅电压。
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