[发明专利]一种高效IBC电池结构及其制备方法

摘要

本发明的目的在于公开一种高效IBC电池结构及其制备方法，它包括N型单晶硅基体，在N型单晶硅基体的正面依次设置有前表面N+掺杂层和减反射层，在N型单晶硅基体的背面设置有背表面N+掺杂层和背表面P+掺杂层，背表面N+掺杂层和背表面P+掺杂层的背面分别设置有第一背表面钝化层和第二背表面钝化层，第一背表面钝化层背面连接有负电极，第二背表面钝化层背面连接有正电极，在背表面P+掺杂层中设置有P++掺杂区；与现有技术相比，通过在正电极接触的正上方P型区表面离子注入硼，其余P型区域低掺杂硼，形成选择性发射极，可以有效降低P型发射极区域中的少子复合率，同时降低靠近正电极的发射极区域中的串联电阻，从而提升电池的转换效率。