[发明专利]一种氧化镍钛透明导电薄膜的制备方法在审
| 申请号： | 201910461194.8 | 申请日： | 2019-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN110797138A | 公开（公告）日： | 2020-02-14 |
| 发明（设计）人： | 孙冬兰;王帅;马佳 | 申请（专利权）人： | 天津科技大学 |
| 主分类号： | H01B5/14 | 分类号： | H01B5/14;H01B13/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 300457 天津市滨*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种氧化镍钛透明导电薄膜的制备方法。本发明的氧化镍钛透明导电薄膜主要包括PET膜、氧化镍薄膜、掺杂在氧化镍薄膜中的少量氧化钛。PET膜为基底，氧化镍钛薄膜为透明导电薄膜。掺杂于氧化镍薄膜中的少量氧化钛提高了氧化镍的离子储存能力，可以用于实际生活中。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化镍 透明导电薄膜 氧化镍薄膜 氧化钛 掺杂 离子储存 钛薄膜 基底 制备 | ||
【主权项】：
1.一种氧化镍钛透明导电薄膜主要包括PET膜、氧化镍钛薄膜。/n
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