[发明专利]一种铁基超导接头及其制备方法有效
| 申请号： | 201910330096.0 | 申请日： | 2019-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN110061367B | 公开（公告）日： | 2020-08-11 |
| 发明（设计）人： | 朱炎昌;马衍伟;王栋樑 | 申请（专利权）人： | 中国科学院电工研究所 |
| 主分类号： | H01R4/68 | 分类号： | H01R4/68;H01R43/04;H01F6/06;C21D8/00 |
| 代理公司： | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人： | 李静 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种铁基超导接头及其制备方法。该铁基超导接头的制备方法包括剥离铁基超导体末端暴露超导芯、连接超导芯并包覆连接区域、热处理所述连接区域和对所述连接区域进行施压处理的步骤，其中，在热处理所述连接区域的步骤中，在大于预设温度的范围内所述连接区域处于被施压状态，所述预设温度为所述铁基超导体中的掺杂元素的流失温度。本发明通过在热处理连接区域的步骤中保证在热处理温度大于铁基超导体中掺杂元素的流失温度的范围内处于被施压状态，抑制了由于热处理过程中温度升高超过预设温度造成连接区域掺杂元素的挥发，使连接区域的掺杂元素流失情况得到了良好控制，提高了超导连接效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 超导 接头 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种铁基超导接头的制备方法，其特征在于，包括剥离铁基超导体末端暴露超导芯、连接超导芯并包覆连接区域、热处理所述连接区域和对所述连接区域进行施压处理的步骤，其中，在热处理所述连接区域的步骤中，在热处理温度大于预设温度的范围内所述连接区域处于被施压状态，所述预设温度为所述铁基超导体中的掺杂元素的流失温度。
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