[发明专利]提升氧化石墨烯基适配体传感器响应性能的方法有效
| 申请号： | 201910320791.9 | 申请日： | 2019-04-20 |
| 公开（公告）号： | CN110006868B | 公开（公告）日： | 2021-06-04 |
| 发明（设计）人： | 李运超;王杏林;何佳乐 | 申请（专利权）人： | 北京师范大学 |
| 主分类号： | G01N21/64 | 分类号： | G01N21/64;G01N21/19 |
| 代理公司： | 北京法信智言知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11737 | 代理人： | 刘静荣 |
| 地址： | 100875 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明属于适配体后筛选技术领域和生物传感快速检测技术领域，具体涉及提升氧化石墨烯(GO)基适配体传感器响应性能的方法。本发明的提升氧化石墨烯基适配体传感器响应性能的方法，包括以下步骤：根据原适配体二级结构设计截短适配体；监测截短适配体与靶标之间的相互作用及构型改变；测定靶标出现前后截短适配体与氧化石墨烯间的淬灭常数；从探针构型、结合强度以及吸脱附难易等方面综合分析判断，得到适用于氧化石墨烯平台的具有最佳响应性能的适配体，并以此构建氧化石墨烯基适配体传感平台。本发明构造了高性能的GO基适配体传感器，实现了对单个霉菌毒素以及多个霉菌毒素的快速灵敏检测。 | ||
| 搜索关键词： | 提升 氧化 石墨 烯基适配体 传感器 响应 性能 方法 | ||
【主权项】：
1.提升氧化石墨烯基适配体传感器响应性能的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：(1)设计剔除冗余碱基的截短适配体；(2)监测步骤(1)得到的截短适配体与靶标之间的相互作用，选择构型变化较大且与靶标具有较大亲和力的截短适配体作为备选序列；(3)测定靶标出现前，备选截短适配体与氧化石墨烯基间的淬灭常数为Kp1；以及测定靶标出现后，适配体‑靶标耦合物与氧化石墨烯间的淬灭常数为Kp2；(4)计算Kp1/Kp2，选择具有最大Kp1/Kp2值的备选适配体作为适用于氧化石墨烯平台并对所述靶标具有最佳响应的适配体；(5)使用步骤(4)得到的截短适配体构造氧化石墨烯基适配体传感器。
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