[发明专利]富氧膜的制造方法在审
| 申请号： | 201910292410.0 | 申请日： | 2019-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN110559810A | 公开（公告）日： | 2019-12-13 |
| 发明（设计）人： | 富田笃志;品川英司;小林大谨;中野太阳 | 申请（专利权）人： | 东芝生活电器株式会社 |
| 主分类号： | B01D53/22 | 分类号： | B01D53/22;B01D71/70;F25D23/12 |
| 代理公司： | 72002 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 张楠 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供气体分离能力优异的富氧膜的制造方法和储藏库的制造方法，其在即使有机硅系组合物的浓度低的情况下，也不会使中间层的表面劣化，能够将有机硅系组合物均匀地进行涂布。至少具有气体分离层(101)、多孔质基材层(102)和位于气体分离层(101)与多孔质基材层(102)之间的中间层(103)的富氧膜(62)的制造方法具有：将具有硅氧烷键的化合物用溶剂进行稀释来制备有机硅系组合物的工序；使上述有机硅系组合物发生交联反应的工序；通过在多孔质基材层(102)上涂布中间层组合物而层叠中间层(103)的工序；和通过在中间层(103)上涂布交联反应后的上述有机硅系组合物而层叠气体分离层(101)的工序。 | ||
| 搜索关键词： | 有机硅系 中间层 多孔质基材 气体分离层 交联反应 富氧膜 制造 气体分离能力 中间层组合物 硅氧烷键 储藏库 用溶剂 劣化 稀释 制备 | ||
【主权项】：
1.一种富氧膜的制造方法，其是至少具有气体分离层、支撑所述气体分离层的多孔质基材层和位于所述气体分离层与所述多孔质基材层之间的中间层的富氧膜的制造方法，所述制造方法具有下述工序：/n将具有硅氧烷键的化合物用溶剂进行稀释，制备有机硅系组合物的工序；/n使所述有机硅系组合物发生交联反应的工序；/n通过在所述多孔质基材层上涂布中间层组合物而层叠中间层的工序；和/n通过在所述中间层上涂布交联反应后的所述有机硅系组合物而层叠气体分离层的工序。/n
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