[发明专利]一种多位存储闪存单元在审
| 申请号： | 201910266098.8 | 申请日： | 2019-04-03 |
| 公开（公告）号： | CN111785829A | 公开（公告）日： | 2020-10-16 |
| 发明（设计）人： | 武恩秀;解媛;胡晓东;袁博 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 天津创智天诚知识产权代理事务所(普通合伙) 12214 | 代理人： | 王秀奎 |
| 地址： | 300072*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明公开一种多位存储闪存单元，将石墨烯，六方氮化硼，二硫化钼自下由上堆叠在二氧化硅/低阻硅基底上形成异质结，即多位存储闪存单元。本发明的存储单元通过施加不同强度电场，实现了多态电导值，实现了多位存储；该存储单元编程/擦写速度为ms量级；该存储单元为非易失性存储器。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 存储 闪存 单元 | ||
【主权项】：
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