[发明专利]一种用于制备高导电率薄膜的铜基合金及溅射靶材在审
| 申请号： | 201910240090.4 | 申请日： | 2019-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN109811183A | 公开（公告）日： | 2019-05-28 |
| 发明（设计）人： | 黄华凛 | 申请（专利权）人： | 广东迪奥应用材料科技有限公司 |
| 主分类号： | C22C9/00 | 分类号： | C22C9/00;C23C14/34 |
| 代理公司： | 广东广和律师事务所 44298 | 代理人： | 王少强 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市宝安*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于制备高导电率薄膜的铜基合金及溅射靶材，其包括二元或三元金属；所述二元金属为铜钕或铜钯；所述三元金属为铜铝钕、铜钯钕、铜钯银、铜钯铋、铜银钕、铜钕铋或铜银铋。本发明提升了纯铜膜的热学性能、有效的抑制铜膜的粗糙，使得布线微型化发展更进一步。 | ||
| 搜索关键词： | 高导电率 溅射靶材 三元金属 铜基合金 铜银 制备 薄膜 微型化 二元金属 热学性能 纯铜膜 布线 铜铝 铜膜 钯银 粗糙 | ||
【主权项】：
1.一种用于制备高导电率薄膜的铜基合金，其特征在于，包括二元或三元金属；所述二元金属为铜钕或铜钯；所述三元金属为铜铝钕、铜钯钕、铜钯银、铜钯铋、铜银钕、铜钕铋或铜银铋。
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