[发明专利]一种单晶圆棒少子寿命测试方法有效
| 申请号： | 201910204020.3 | 申请日： | 2019-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN109904092B | 公开（公告）日： | 2021-05-18 |
| 发明（设计）人： | 张红霞;李建弘;梁宇飞;高建芳;李耀龙;栗钢;李延彬;白建军;王林;王建平 | 申请（专利权）人： | 内蒙古中环光伏材料有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 天津诺德知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 12213 | 代理人： | 栾志超 |
| 地址： | 010070 内蒙古自*** | 国省代码： | 内蒙古;15 |
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| 摘要： | 本发明提供一种单晶圆棒少子寿命测试方法，所述测试方法步骤为：S1、在所述圆棒体柱面上选出被测位置；S2、在所述被测位置上进行加工平面；S3、在所述平面上进行机械打磨；S4、清洗所述平面；S5、采用少子寿命测试仪器对所述平面进行测试。本发明提出一种快速检测单晶圆棒少子寿命方法，采用本发明的测试方法所测试的结果接近于现有技术测试方法所测的少子寿命，所有测试数据稳定且再现性较好，数据差值波动很小，可准确反应单晶圆棒的少子寿命的结果，提高了少子寿命的测试时间，为后续生产缩短了加工周期，节约了生产资源，提高了工作效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 单晶圆棒 少子 寿命 测试 方法 | ||
【主权项】：
1.一种单晶圆棒少子寿命测试方法，其特征在于，所述测试方法步骤为：S1、在所述圆棒体柱面上选出被测位置；S2、在所述被测位置上进行加工平面；S3、在所述平面上进行机械打磨；S4、清洗所述平面；S5、采用少子寿命测试仪器对所述平面进行测试。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
