[发明专利]一种采用L形缝隙单元的宽带SIW背腔缝隙天线阵列有效

专利信息
申请号: 201910187943.2 申请日: 2019-03-13
公开(公告)号: CN109818158B 公开(公告)日: 2020-09-11
发明(设计)人: 王海明;谢家豪;无奇;余晨;洪伟 申请(专利权)人: 东南大学
主分类号: H01Q21/06 分类号: H01Q21/06;H01Q21/00;H01Q13/18;H01Q1/50;H01Q1/38;H01Q1/32
代理公司: 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 代理人: 孟红梅
地址: 211189 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种采用L型缝隙单元的宽带基片集成波导(Substrate Integrated Waveguide,SIW)背腔缝隙天线阵列,包括并馈式功分网络和若干SIW背腔缝隙天线单元,天线单元主要由SIW矩形谐振腔和两对相对于谐振腔中心旋转对称的L型缝隙对组成,L形缝隙对的两个L型缝隙面对面放置。通过设计金属化通孔和金属化盲孔的位置,各天线单元在介质黏贴层中形成了单侧长边开放的矩形SIW隔离腔,显著降低了黏贴层中泄露的电磁场对天线阵列方向图和增益的影响。本发明实现的天线阵列具有方向图带宽较宽、带内增益平坦、方位面俯仰面均为窄波束、交叉极化电平低的特点。
搜索关键词: 一种 采用 缝隙 单元 宽带 siw 天线 阵列
【主权项】:
1.一种采用L形缝隙单元的宽带SIW背腔缝隙天线阵列,其特征在于:包括并馈式功分网络和若干SIW背腔缝隙天线单元;所述SIW背腔缝隙天线单元由上下两层介质基板通过黏贴层粘合而成,包括上层SIW背腔缝隙辐射层和下层SIW馈电层;所述的L形缝隙设在SIW谐振腔所在上层介质基板的上表面,天线单元通过设在下层介质基板的上表面的耦合缝隙馈电;SIW背腔缝隙天线单元设有两对相对于SIW谐振腔中心旋转对称的L形缝隙对,L形缝隙对的两个L型缝隙面对面放置,每对L形缝隙在缝隙附近设有用于改善阻抗匹配的盲孔。
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