[发明专利]基于等高微柱的开放式三维细胞培养芯片及其制备技术

摘要

本发明公开了一种可以用于三维细胞培养的芯片及其制备技术。该芯片主要由等高微柱阵列2和凹陷4组成，等高微柱阵列2的顶端面形成凹陷4。该芯片采用MEMS(Micro‑Electro‑Mechanical System)技术和复制模塑技术制备。本发明的有益效果：1)芯片包含的三维结构可以为细胞提供功能化的三维生长条件，同时由于等高微柱阵列2的存在，该芯片可以为细胞的黏附和铺展提供硬度均一的基底；2)芯片所包含的三维结构是一种开放式的三维结构，与常见显微观测技术兼容；3)芯片制备时以高硬度材料作为模板基底6，克服了软性材料容易损坏的问题；4)经各向同性微加工技术在模板基底上制备凹坑，工艺可控性高；4)经电感耦合等离子体反应(ICP)制备微柱阵列，微柱高度容易控制，避免了微柱深宽比过大时倒伏等缺陷。

主权项

1.基于等高微柱的开放式三维细胞培养芯片，其特征在于，由可浇铸成型的生物相容性材料制成，包含基底1、等高微柱阵列2；所述基底1上有多个微坑3，同时，所述基底1上多个微坑3的形态传递至所述等高微柱阵列2上表面形成多个凹陷4；所述凹陷4为半椭球形，用于实现三维细胞培养，半椭球的长轴直径R在20‑200μm的范围内，深度r在5‑50μm的范围内；所述等高微柱阵列2的微柱直径L在1‑10μm之间，高度H在1‑50μm之间，相邻微柱的距离d在1‑10μm之间。