[发明专利]一种太赫兹辐射的激发方法有效
| 申请号： | 201910090745.4 | 申请日： | 2019-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN109904048B | 公开（公告）日： | 2020-06-09 |
| 发明（设计）人： | 杨生鹏;唐昌建;夏玉玺;陈少永 | 申请（专利权）人： | 四川大学 |
| 主分类号： | H01J23/16 | 分类号： | H01J23/16;H01J23/24 |
| 代理公司： | 北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246 | 代理人： | 苗艳荣 |
| 地址： | 610065 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明提供一种太赫兹辐射的激发方法，包括以下步骤：步骤1：将电子束与高密度等离子体注入介质慢波结构中；步骤2：电子束驱动等离子体尾场对电子束进行横向和纵向的调制，形成周期分布的短脉冲电子束；步骤3：使短脉冲周期电子束与系统内的高次本征模同步，然后两者耦合，从而激发太赫兹辐射。本发明方法具有高功率、高效率、频率可调、无需外加强磁场、辐射相干性好、不限制器件尺寸。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 赫兹 辐射 激发 方法 | ||
【主权项】：
1.一种太赫兹辐射的激发方法，包括以下步骤：步骤1：将电子束与高密度等离子体注入介质慢波结构中；步骤2：电子束驱动等离子体尾场对电子束进行横向和纵向的调制，形成周期分布的短脉冲电子束；步骤3：使短脉冲周期电子束与系统内的高次本征模同步，然后两者耦合，从而激发太赫兹辐射。
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