[发明专利]测试条件决定装置及测试条件决定方法有效
| 申请号： | 201910022672.5 | 申请日： | 2019-01-10 |
| 公开（公告）号： | CN110047768B | 公开（公告）日： | 2022-10-28 |
| 发明（设计）人： | 中村卓誉;酒井雅 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L23/544 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 何立波;张天舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 目的在于提供一种能够决定恰当的测试条件的技术。测试条件决定装置(1)具备图谱创建部(11)、耐压推定部(12)、测试条件决定部(13)。图谱创建部(11)基于外延生长层的厚度的测定值、外延生长层的载流子浓度的测定值、以及外延生长层及衬底的结晶缺陷的测定结果，对与芯片(22)相关的晶圆图(25)进行创建。耐压推定部(12)基于晶圆图(25)对芯片(22)的耐压进行推定。测试条件决定部(13)基于耐压推定部(12)的推定结果决定应运用于芯片(22)的测试条件。 | ||
| 搜索关键词： | 测试 条件 决定 装置 方法 | ||
【主权项】：
1.一种测试条件决定装置，其具备：图谱创建部，其基于配置有外延生长层的衬底的多处的所述外延生长层的厚度的测定值、所述外延生长层的载流子浓度的测定值、以及所述外延生长层及所述衬底的结晶缺陷的测定结果，对与芯片相关的晶圆图进行创建；耐压推定部，其基于由所述图谱创建部创建出的晶圆图对所述芯片的耐压进行推定；以及测试条件决定部，其基于所述耐压推定部的推定结果决定应运用于所述芯片的测试条件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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