[发明专利]压力传感器在审
| 申请号： | 201880079583.8 | 申请日： | 2018-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN111465831A | 公开（公告）日： | 2020-07-28 |
| 发明（设计）人： | 泷本和哉 | 申请（专利权）人： | 株式会社鹭宫制作所 |
| 主分类号： | G01L9/00 | 分类号： | G01L9/00;H01L29/84 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 金成哲;郑毅 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的目的在于，在使用了如压阻效应方式那样在内部形成有膜片部(126a1)的半导体压力传感器芯片(126)的压力传感器(100)中，降低因温度变化引起的半导体压力传感器芯片(126)、支撑部件、粘接剂的线膨胀系数的不同而产生的半导体压力传感器芯片(126)的歪斜变形，实现压力传感器(100)的精度的提高。本发明的压力传感器(100)具备：在内部具有膜片部(126a1)的半导体压力传感器芯片(126)；支撑半导体压力传感器芯片(126)的支柱(125)；以及粘接并固定半导体压力传感器芯片(126)与支柱(125)的粘接剂层(125A)。其特征在于，粘接剂层(125A)的粘接区域比半导体压力传感器芯片(126)的膜片部(126a1)相对于支柱(125)的投影面积小。 | ||
| 搜索关键词： | 压力传感器 | ||
【主权项】：
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