[实用新型]单光子雪崩二极管、探测器阵列、图像传感器

摘要

本实用新型公开了一种单光子雪崩二极管、探测器阵列、图像传感器，其中，背照式单光子雪崩二极管设置有陷光结构和侧壁反射墙，入射光经过陷光结构反射、散射、折射后被分散到各个角度，加上侧壁反射墙的反射作用，可以延长光在背照式单光子雪崩二极管中的有效光程，从而提高了光在背照式单光子雪崩二极管中的吸收效率；而包含背照式单光子雪崩二极管的光电探测器阵列和图像传感器，由于具有背照式单光子雪崩二极管，有效提高了光电探测器阵列和图像传感器的光吸收效率。

主权项

1.一种背照式单光子雪崩二极管，其特征在于，所述背照式单光子雪崩二极管由下至上依次设置有衬底、电路层、氧化硅层和硅探测层，所述硅探测层包括第一类型掺杂区、第二类型掺杂区、第三类型掺杂区和侧壁反射墙，所述第二类型掺杂区或者所述第三类型掺杂区与所述第一类型掺杂区形成倍增结，所述第三类型掺杂区为掺杂浓度变化的掺杂区，所述背照式单光子雪崩二极管中设置有陷光结构。