[实用新型]关键尺寸扫描电子显微镜缺陷监测片有效
| 申请号： | 201822071934.0 | 申请日： | 2018-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN208954940U | 公开（公告）日： | 2019-06-07 |
| 发明（设计）人： | 陈灵 | 申请（专利权）人： | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 孙佳胤 |
| 地址： | 223300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 该实用新型涉及一种关键尺寸扫描电子显微镜缺陷监测片，用于监测关键尺寸扫描电子显微镜观测以监测关键尺寸扫描电子显微镜的缺陷状况，包括：裸晶圆；光阻条，形成于裸晶圆上表面，光阻条在关键尺寸扫描电子显微镜具有气流缺陷时发生崩塌，用户通过监测光阻条的崩塌状况来确定关键尺寸扫描电子显微镜是否有气流缺陷。本实用新型的关键尺寸扫描电子显微镜缺陷监测片具有光阻条，通过监测关键尺寸扫描电子显微镜缺陷监测片的崩塌与否，就可以检测关键尺寸扫描电子显微镜的气流缺陷，还可以实现对关键尺寸扫描电子显微镜的颗粒缺陷的监测，简单方便。 | ||
| 搜索关键词： | 扫描电子显微镜 缺陷监测 崩塌 光阻 监测 裸晶 扫描电子显微镜观测 本实用新型 颗粒缺陷 缺陷状况 监测光 上表面 检测 | ||
【主权项】：
1.一种关键尺寸扫描电子显微镜缺陷监测片，用于监测关键尺寸扫描电子显微镜的缺陷状况，其特征在于，包括：裸晶圆；光阻条，形成于所述裸晶圆上表面，所述光阻条在所述关键尺寸扫描电子显微镜具有气流缺陷时发生崩塌，用户通过监测所述光阻条的崩塌状况来确定所述关键尺寸扫描电子显微镜是否有气流缺陷；所述关键尺寸扫描电子显微镜的气流缺陷包括：所述关键尺寸扫描电子显微镜的样品室释放真空时的气流大小超过阈值造成的气流缺陷。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
