[实用新型]双向MOSFET开关

摘要

本公开涉及双向MOSFET开关。消除流过反向偏置的MOSFET的体电流可有助于电流监测的准确性。为了提高反向电流的电流监测准确性，提供具有减少的体电流的双向MOSFET开关，开关的特征在于包括：第一类型的半导体的体区，将第二类型的半导体的源极区和漏极区分开，体区连接到体端子，源极区连接到源极端子，且漏极区连接到漏极端子；第二类型的半导体的隐埋层，将体区与第一类型的半导体的衬底分开，隐埋层耦接到隐埋层端子；栅极端子，可驱动以在体区中形成沟道从而启用源极端子与漏极端子之间的导通；第一配置开关，在源极端子电压超过漏极端子电压时将体端子从源极端子断开连接；以及第二配置开关，在源极端子电压超过漏极端子电压时将体端子连接到隐埋层端子。

主权项

1.一种双向MOSFET开关，具有减少的体电流，所述开关的特征在于包括：第一类型的半导体的体区，所述体区将第二类型的半导体的漏极区和源极区分开，所述体区连接到体端子，所述源极区连接到源极端子，并且所述漏极区连接到漏极端子；所述第二类型的半导体的隐埋层，所述隐埋层将所述体区与所述第一类型的半导体的衬底分开，所述隐埋层耦接到隐埋层端子；栅极端子，所述栅极端子可驱动以在所述体区中形成沟道，从而使得所述源极端子与所述漏极端子之间能够导通；第一配置开关，所述第一配置开关在所述源极端子电压超过所述漏极端子电压时将所述体端子从所述源极端子断开连接；和第二配置开关，所述第二配置开关在所述源极端子电压超过所述漏极端子电压时将所述体端子连接到所述隐埋层端子。