[实用新型]光罩弯曲校正装置及曝光机有效
申请号: | 201821346226.7 | 申请日: | 2018-08-21 |
公开(公告)号: | CN208673039U | 公开(公告)日: | 2019-03-29 |
发明(设计)人: | 李亮亮;赵玉财;王璐 | 申请(专利权)人: | 咸阳彩虹光电科技有限公司 |
主分类号: | G03F1/64 | 分类号: | G03F1/64;G03F7/20 |
代理公司: | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人: | 张捷 |
地址: | 712000 陕*** | 国省代码: | 陕西;61 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型涉及一种光罩弯曲校正装置及曝光机,所述光罩弯曲校正装置包括第一光罩保持架、第二光罩保持架及抽真空装置,其中,所述第一光罩保持架为方框形结构,其下表面包括多个第一吸附口,以吸附所述光罩的四周部分;所述第二光罩保持架为杆状结构且与所述第一光罩保持架构成日字形结构,所述杆状结构的下表面包括多个第二吸附口,以吸附所述光罩的中间部分;所述第一光罩保持架和所述第二光罩保持架分别包括连接至抽真空装置的真空接口。该光罩弯曲校正装置设置有第一光罩保持架和第二光罩保持架,能够很大程度上减少曝光过程中光罩自身重力导致的下垂,避免光罩上的图案在转印过程中发生失真现象。 | ||
搜索关键词: | 光罩 保持架 弯曲校正装置 抽真空装置 杆状结构 曝光机 吸附口 下表面 吸附 本实用新型 方框形结构 曝光过程 失真现象 真空接口 转印过程 字形结构 下垂 架构 图案 | ||
【主权项】:
1.一种光罩弯曲校正装置,其特征在于,包括第一光罩保持架(5)、第二光罩保持架(6)及抽真空装置,其中,所述第一光罩保持架(5)为方框形结构,所述方框形结构的下表面包括多个第一吸附口(7),以吸附所述光罩(2)的四周部分;所述第二光罩保持架(6)为杆状结构且与所述第一光罩保持架(5)构成日字形结构,所述杆状结构的下表面包括多个第二吸附口(8),以吸附所述光罩(2)的中间部分;所述多个第一吸附口(7)和所述多个第二吸附口(8)设置在同一平面上;所述第一光罩保持架(5)和所述第二光罩保持架(6)均包括真空接口(9),所述第一吸附口(7)和所述第二吸附口(8)分别通过所述真空接口(9)连接至所述抽真空装置。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于咸阳彩虹光电科技有限公司,未经咸阳彩虹光电科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201821346226.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种具有正面识别标记的胶片制作装置
- 下一篇:掩模版清洁装置
- 同类专利
- 专利分类
G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备