[实用新型]掩模版清洁装置有效
申请号: | 201821285955.6 | 申请日: | 2018-08-09 |
公开(公告)号: | CN208673040U | 公开(公告)日: | 2019-03-29 |
发明(设计)人: | 张祥平;李天慧;黄晓橹;龙海凤 | 申请(专利权)人: | 德淮半导体有限公司 |
主分类号: | G03F1/82 | 分类号: | G03F1/82;G03F7/20;B08B5/02;B08B13/00 |
代理公司: | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人: | 孙佳胤;陈丽丽 |
地址: | 223300 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型涉及半导体制造技术领域,尤其涉及一种掩模版清洁装置。所述掩模版清洁装置,包括用于检测掩模版上颗粒物坐标的曝光机,还包括用于容纳所述掩模版的密闭腔室、以及位于所述密闭腔室内的吹扫组件;所述吹扫组件连接所述曝光机,用于获取所述掩模版上颗粒物的坐标,并根据所述坐标对所述掩膜版进行吹扫,以清除所述掩模版上的颗粒物。本实用新型实现了对掩模版的自动清洁,避免了人工清洁方式的繁琐操作。 | ||
搜索关键词: | 掩模版 清洁装置 颗粒物 本实用新型 吹扫组件 曝光机 半导体制造技术 密闭腔室 清洁方式 自动清洁 密闭腔 掩膜版 吹扫 容纳 室内 检测 | ||
【主权项】:
1.一种掩模版清洁装置,包括用于检测掩模版上颗粒物坐标的曝光机,其特征在于,还包括用于容纳所述掩模版的密闭腔室、以及位于所述密闭腔室内的吹扫组件;所述吹扫组件连接所述曝光机,用于获取所述掩模版上颗粒物的坐标,并根据所述坐标对所述掩模版进行吹扫,以清除所述掩模版上的颗粒物。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于德淮半导体有限公司,未经德淮半导体有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201821285955.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:光罩弯曲校正装置及曝光机
- 下一篇:菲林贴合装置
- 同类专利
- 专利分类
G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备