[实用新型]一种基于GeTe的互补型阻变存储器有效
申请号: | 201820713577.0 | 申请日: | 2018-05-14 |
公开(公告)号: | CN208078024U | 公开(公告)日: | 2018-11-09 |
发明(设计)人: | 马国坤;何玉立;王浩;陈钦;陈傲;刘春雷 | 申请(专利权)人: | 湖北大学 |
主分类号: | H01L45/00 | 分类号: | H01L45/00 |
代理公司: | 北京金智普华知识产权代理有限公司 11401 | 代理人: | 杨采良 |
地址: | 430062 湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种基于GeTe的互补型阻变存储器,涉及新型微纳电子材料及功能器件领域。本实用新型的互补型阻变存储器包括底层导电电极;设于底层导电电极上表面的GeTe薄膜介质层;设于GeTe薄膜介质层上表面的顶层导电电极。本实用新型的阻变存储器元件具有非常简单的“金属/介质/金属”的“三明治”结构,大大简化了互补型阻变存储器件的结构。另外,本实用新型通过电激励和限制电流使GeTe薄膜介质层发生阻态切换实现互补型阻变功能,能有效解决阻变存储器十字交叉阵列中的电流串扰问题。本实用新型的互补型存储器性能稳定、可微缩性好,在开发高存储密度、低功耗、纳米尺寸非易失性存储器方面非常具有发展潜力和应用价值。 | ||
搜索关键词: | 互补型 本实用新型 阻变存储器 薄膜介质层 导电电极 上表面 三明治 非易失性存储器 阻变存储器元件 阻变存储器件 金属 存储器性能 功能器件 十字交叉 限制电流 有效解决 阻态切换 低功耗 电激励 纳电子 顶层 串扰 微缩 存储 应用 开发 | ||
【主权项】:
1.一种基于GeTe的互补型阻变存储器,其特征在于:所述存储器包括底层导电电极;设于底层导电电极上表面的GeTe薄膜介质层;设于GeTe薄膜介质层上表面的顶层导电电极。
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