[发明专利]基于IGBT并联均流的主回路拓扑结构有效
| 申请号： | 201811632212.6 | 申请日： | 2018-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN109525126B | 公开（公告）日： | 2020-10-16 |
| 发明（设计）人： | 赵国良;刘莉飞;苟文辉 | 申请（专利权）人： | 上海大郡动力控制技术有限公司 |
| 主分类号： | H02M7/00 | 分类号： | H02M7/00 |
| 代理公司： | 上海天协和诚知识产权代理事务所 31216 | 代理人： | 沈国良 |
| 地址： | 201114 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于IGBT并联均流的主回路拓扑结构，本拓扑结构包括大功率主薄膜电容模块、直流母排、三相IGBT并联半桥组件、三相输出铜排，大功率主薄膜电容模块连接直流母排，三相IGBT并联半桥组件输入端连接直流母排、输出端连接三相输出铜排，三相输出铜排连接电机三相端子，本拓扑结构还包括三个辅助薄膜电容，直流母排叠层布置，三个辅助薄膜电容布置于三相IGBT并联半桥组件输出侧并且分别连接直流母排，三相IGBT并联半桥组件布置于大功率主薄膜电容模块与三个辅助薄膜电容之间。本结构克服由于主回路杂散电感和阻抗的不均衡对并联IGBT均流的影响，有效提高IGBT并联的均流特性，提升并联IGBT的使用寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 igbt 并联 回路 拓扑 结构 | ||
【主权项】：
1.一种基于IGBT并联均流的主回路拓扑结构，包括大功率主薄膜电容模块、直流母排、三相IGBT并联半桥组件、三相输出铜排，所述大功率主薄膜电容模块连接所述直流母排，所述三相IGBT并联半桥组件输入端连接所述直流母排、输出端连接所述三相输出铜排，所述三相输出铜排连接电机三相端子，其特征在于：还包括三个辅助薄膜电容，所述直流母排叠层布置，所述三个辅助薄膜电容布置于所述三相IGBT并联半桥组件输出侧并且分别连接所述直流母排，所述三相IGBT并联半桥组件布置于所述大功率主薄膜电容模块与三个辅助薄膜电容之间。
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