[发明专利]一种背电极结构、太阳能电池及其制备方法在审
| 申请号： | 201811624603.3 | 申请日： | 2018-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN111403494A | 公开（公告）日： | 2020-07-10 |
| 发明（设计）人： | 李新连;赵树利;杨立红 | 申请（专利权）人： | 北京铂阳顶荣光伏科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0216 | 分类号： | H01L31/0216;H01L31/0224;H01L31/054;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京中政联科专利代理事务所(普通合伙) 11489 | 代理人： | 陈超 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种背电极结构，属于太阳能电池技术领域，包括：层叠设置的背电极膜层(21)和钝化层(23)；钝化层(23)上形成有多个第一贯穿孔(231)，第一贯穿孔(231)贯穿钝化层(23)。该背电极结构通过改进结构，在背电极膜层上设置钝化层，钝化了背电极膜层与吸收层之间的接触界面，减少了界面复合，避免了开路电压下降，同时，通过在钝化层上形成有多个第一贯穿孔，使得背电极膜层暴露，实现了背电极膜层与吸收层之间的电接触。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电极 结构 太阳能电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
