[发明专利]一种声场质点振速敏感结构及制备方法在审
| 申请号： | 201811610266.2 | 申请日： | 2018-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN109696236A | 公开（公告）日： | 2019-04-30 |
| 发明（设计）人： | 刘云飞;周瑜;冯杰 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第三研究所 |
| 主分类号： | G01H11/06 | 分类号： | G01H11/06;G01P3/50;B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京天盾知识产权代理有限公司 11421 | 代理人： | 张彩珍 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种声场质点振速敏感结构及制备方法，硅衬底上形成有桥孔，桥孔的两侧分别设有电极，两侧的电极之间设有薄丝，其特征在于：所述薄丝为多个薄丝，并且对应每个薄丝，在桥孔的两侧相应各设有1个电极；所述多个薄丝中位于最外侧的薄丝为通电加热薄丝，其余薄丝为敏感薄丝；所述声场质点振速敏感结构为单侧非等间距桥式薄丝敏感结构。本发明采用单侧非等间距桥式薄丝敏感结构，可有效抑制敏感单元有限长度边界热传导效应，改善传感器在低频段响应特性，提升敏感结构对低频声场质点振速的响应灵敏度。 | ||
| 搜索关键词： | 敏感结构 质点振速 电极 桥孔 声场 桥式 制备 热传导效应 响应灵敏度 低频声场 敏感单元 通电加热 响应特性 有效抑制 传感器 低频段 硅衬底 敏感 | ||
【主权项】：
1.一种声场质点振速敏感结构，硅衬底上形成有桥孔，桥孔的两侧分别设有电极，两侧的电极之间设有薄丝，其特征在于：所述薄丝为多个薄丝，并且对应每个薄丝，在桥孔的两侧相应各设有1个电极；所述多个薄丝中位于最外侧的薄丝为通电加热薄丝，其余薄丝为敏感薄丝；所述声场质点振速敏感结构为单侧非等间距桥式薄丝敏感结构。
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