[发明专利]单片集成的中红外锗基微型谐振腔及其制作方法在审
| 申请号： | 201811589660.2 | 申请日： | 2018-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN109799575A | 公开（公告）日： | 2019-05-24 |
| 发明（设计）人： | 程振洲;邢正锟;胡浩丰;桑梅;刘铁根 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | G02B6/12 | 分类号： | G02B6/12 |
| 代理公司： | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 | 代理人： | 刘国威 |
| 地址： | 300072*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明涉及集成光学技术领域，为提供中红外吸收光谱装置，本发明，单片集成的中红外锗基微型谐振腔及其制作方法，包括：锗基光耦合器、悬空薄膜锗基波导、悬空薄膜锗基微型谐振腔，所述的锗基光耦合器与悬空薄膜锗基波导相连，用于实现外部光源与悬空薄膜锗基波导之间的中红外光的耦合；悬空薄膜锗基波导位于悬空薄膜锗基微型谐振腔的侧面，通过倏逝场实现悬空薄膜锗基波导与悬空薄膜锗基微型谐振腔之间的中红外光的耦合；中红外光在悬空薄膜锗基微型谐振腔中产生共振，实现光场的增强输出。本发明主要应用于红外吸收光谱装置的设计制造场合。 | ||
| 搜索关键词： | 锗基 悬空薄膜 微型谐振腔 波导 中红外光 单片集成 光耦合器 耦合 中红外吸收光谱 红外吸收光谱 集成光学技术 外部光源 倏逝场 共振 光场 制作 侧面 输出 应用 制造 | ||
【主权项】：
1.一种单片集成的中红外锗基微型谐振腔，其特征是，包括：锗基光耦合器、悬空薄膜锗基波导、悬空薄膜锗基微型谐振腔，所述的锗基光耦合器与悬空薄膜锗基波导相连，用于实现外部光源与悬空薄膜锗基波导之间的中红外光的耦合；悬空薄膜锗基波导邻近悬空薄膜锗基微型谐振腔，通过倏逝场实现悬空薄膜锗基波导与悬空薄膜锗基微型谐振腔之间的中红外光的耦合；中红外光在悬空薄膜锗基微型谐振腔中产生共振，实现光场的增强输出。
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