[发明专利]判断精三氯氢硅质量下滑时间的方法有效
申请号: | 201811584999.3 | 申请日: | 2018-12-24 |
公开(公告)号: | CN109448800B | 公开(公告)日: | 2022-12-06 |
发明(设计)人: | 杨媛丽;吴锋;曹忠;姜海明;宗凤云;贺珍俊 | 申请(专利权)人: | 内蒙古神舟硅业有限责任公司 |
主分类号: | G16C20/30 | 分类号: | G16C20/30 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 010070 内蒙古自*** | 国省代码: | 内蒙古;15 |
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摘要: | 本发明公开了一种判断精三氯氢硅质量下滑时间的方法,能准确、快速地确定精三氯氢硅质量下滑的时间,为判断导致精三氯氢硅质量下滑的原因提供可靠参考,具有判断成本低、计算精度高的优点,经实践证明,效果显著,具有较高的推广价值。通过本发明方法能够快速找出造成精三氯氢硅质量下滑的原因,进而针对该原因采取相应的调控措施,以快速恢复多晶硅的质量,将因精三氯氢硅质量下滑造成多晶硅质量问题而带来的经济损失降至最低。 | ||
搜索关键词: | 判断 精三氯氢硅 质量 下滑 时间 方法 | ||
【主权项】:
1.判断精三氯氢硅质量下滑时间的方法,其特征在于,其包括以下步骤:步骤(1)、根据多晶硅生产监控台账,选择计算炉、基准炉一以及基准炉二;步骤(2)、分别计算计算炉、基准炉一以及基准炉二的多晶硅棒杂质浓度;步骤(3)、确定绘图比例尺,并按照多晶硅棒径与取样钻头的比例,绘制计算炉的硅料取样图,并在图中标出硅棒沉积半径h终和取样位置;步骤(4)、计算硅料取样图中取样部分的质量正常硅料与质量下滑硅料的质量比;步骤(5)、利用所述计算炉、基准炉一以及基准炉二的多晶硅杂质浓度,以及取样部分的质量正常硅料与质量下滑硅料的质量比,确定质量下滑时间线,并在所述硅料取样图中标注出质量下滑时间线;步骤(6)、计算质量下滑时间线对应的沉积半径h下;步骤(7)、利用质量下滑时间线对应的沉积半径h下及所述多晶硅生产监控台账记录的数据,计算质量下滑时间线对应的沉积时间t下,t下即为精三氯氢硅质量下滑的时间。
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