[发明专利]迟滞电路及其构成上电复位结构有效
| 申请号： | 201811516516.6 | 申请日： | 2018-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN109660236B | 公开（公告）日： | 2023-08-15 |
| 发明（设计）人： | 张宁;顾静萍 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H03K17/22 | 分类号： | H03K17/22;H03K17/28 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 焦天雷 |
| 地址： | 201315 上海市浦东新区中国（上*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种迟滞电路，包括第一MOS第一端和第二MOS第一端连接该迟滞电路的第一端,第一MOS第二端连接第一电阻第一端，第一电阻第二端连接第二电阻第一端，第二电阻第二端连接该迟滞电路的第五端，第二MOS第二端连接第三MOS第一端，第一MOS第三端、第二MOS第三端和第一电阻第一端连接该迟滞电路的第二端，第三MOS第二端和第一MOS第二端连接该迟滞电路的第四端，第三MOS第三端连接该迟滞电路的第三端。本发明还公开了一种具有所述迟滞电路的上电复位结构。本发明的迟滞电路能提供稳定迟滞窗口。本发明的上电复位结构具有稳定Vtrigger的窗口，具有灵活调节RESET脉宽能力，且在电源短时间内断电并上电的情况下，能输出预设脉宽RESET正脉冲。 | ||
| 搜索关键词： | 迟滞 电路 及其 构成 复位 结构 | ||
【主权项】：
1.一种迟滞电路，其特征在于，包括：第一MOS(PM1)、第二MOS(PM2)、第三MOS(PM5)、第一电阻(RA)和第二电阻(RB)；第一MOS(PM1)第一连接端和第二MOS(PM2)第一连接端连接该迟滞电路(10)的第一连接端(A),第一MOS(PM1)第二连接端连接第一电阻(RA)第一连接端，第一电阻(RA)第二连接端连接第二电阻(RB)第一连接端，第二电阻(RB)第二连接端连接该迟滞电路(10)的第五连接端(E)，第二MOS(PM2)第二连接端连接第三MOS(PM5)第一连接端，第一MOS(PM1)第三连接端、第二MOS(PM2)第三连接端和第一电阻(RA)第一连接端连接该迟滞电路(10)的第二连接端(B)，第三MOS(PM5)第二连接端和第一MOS(PM1)第二连接端连接该迟滞电路(10)的第四连接端(D)，第三MOS(PM5)第三连接端连接该迟滞电路(10)的第三连接端(C)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华力集成电路制造有限公司，未经上海华力集成电路制造有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201811516516.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
