[发明专利]分子束外延生长AlInAsSb超晶格材料的方法有效
| 申请号： | 201811470805.7 | 申请日： | 2018-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN109616403B | 公开（公告）日： | 2020-08-28 |
| 发明（设计）人： | 郝瑞亭;常发冉;郭杰;李勇;刘欣星;顾康;刘斌;王璐 | 申请（专利权）人： | 云南师范大学 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/67;H01L31/18;H01L31/0304;H01L31/0352 |
| 代理公司： | 南京苏创专利代理事务所(普通合伙) 32273 | 代理人： | 王华 |
| 地址： | 650500 云*** | 国省代码： | 云南;53 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种分子束外延生长短波红外AlInAsSb超晶格的优化方法，其步骤为：测定AlInAsSb中三族元素的源炉温度及相应的束流值，及其五族元素相应的束流值以及分子束外延生长的基准温度T |
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| 搜索关键词： | 分子 外延 生长 alinassb 晶格 材料 方法 | ||
【主权项】：
1.分子束外延生长短波红外探测材料AlInAsSb超晶格的优化方法，其特征在于，包括以下步骤：A、首先测定生长AlInAsSb材料时三族元素Al、In的源炉温度及相应的束流值，五族元素As、Sb的束流值，以及分子束外延生长的基准温度Tc，并定义五族元素与三族元素的束流值比值分别为Sb/Al和As/In；B、设定Sb/Al取值为固定值A，As/In取值为变量值x，通过对比不同x值时所制备的AlInAsSb材料的XRD图谱，分析确定As/In的最佳值xi；然后，设定As/In取值为最佳值xi，Sb/Al取值为变量值y，通过对比不同y值时所制备的AlInAsSb材料的XRD图谱，分析确定Sb/Al的最佳值yi;C、以Tc为基准温度，调整AlInAsSb超晶格在GaSb衬底上的生长温度，以15°C为步长进行变化，对所获得的AlInAsSb材料样品进行AFM测试，并根据AFM测得的均方根表面粗糙度确定其最佳生长温度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
