[发明专利]一种核壳量子点及其制备方法、电子器件有效

专利信息
申请号: 201811455211.9 申请日: 2018-11-30
公开(公告)号: CN109666477B 公开(公告)日: 2022-09-06
发明(设计)人: 胡保忠 申请(专利权)人: 纳晶科技股份有限公司
主分类号: C09K11/02 分类号: C09K11/02;C09K11/88;H01L51/50;B82Y20/00;B82Y30/00;B82Y40/00
代理公司: 广州市越秀区哲力专利商标事务所(普通合伙) 44288 代理人: 胡拥军;糜婧
地址: 310052 浙江省杭*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明公开了一种核壳量子点及其制备方法、电子器件。其中核壳量子点制备方法,包括以下步骤:S1,提供待包覆量子点,待包覆量子点的外表面包括第一阳离子和第一阴离子,第一阳离子包括至少一种阳离子,第一阴离子包括至少一种阴离子;S2,使用混合阴离子前体处理待包覆量子点,混合阴离子前体包括第一阴离子的前体以及第二阴离子的前体,第二阴离子包括至少一种阴离子;S3,提纯经步骤S2处理的待包覆量子点后,进行壳层的包覆,壳层包括第二阳离子以及第二阴离子,第二阳离子包括至少一种阳离子。本发明利用核层和壳层的阴离子混合来处理经提纯的量子点核,经混合阴离子处理后,再进行壳层的包覆,可以显著提高核壳量子点的光致和电致发光性能。
搜索关键词: 一种 量子 及其 制备 方法 电子器件
【主权项】:
1.一种核壳量子点制备方法,其特征在于,包括以下步骤:S1,提供待包覆量子点,所述待包覆量子点的外表面包括第一阳离子和第一阴离子,所述第一阳离子包括至少一种阳离子,所述第一阴离子包括至少一种阴离子;S2,使用混合阴离子前体处理所述待包覆量子点,所述混合阴离子前体包括所述第一阴离子的前体以及第二阴离子的前体,所述第二阴离子包括至少一种阴离子;S3,提纯经所述步骤S2处理的所述待包覆量子点后,进行壳层的包覆,所述壳层包括第二阳离子以及所述第二阴离子,所述第二阳离子包括至少一种阳离子。
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