[发明专利]一种二极管芯片清洗工艺在审
| 申请号： | 201811442303.3 | 申请日： | 2018-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN109616402A | 公开（公告）日： | 2019-04-12 |
| 发明（设计）人： | 吴强德 | 申请（专利权）人： | 嘉兴柴薪科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;C11D7/06;C11D7/04;C11D7/60 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 314001 浙江省嘉兴市南湖*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 一种二极管芯片的清洗工艺。涉及清洗工艺中所用清洗液配方的改进。能进一步减少芯片侧表面金属离子，从而避免芯片在工作中会出现“爬电”现象。依次包括混酸洗、双磷洗和氨洗，氨洗时的清洗液包括氨水、水和双氧水，它们的重量比是氨水0.5份∶水1.5份∶双氧水0.5份。与以往的配方相比，本发明在氨洗液中加入了双氧水，在充分混合的情况下通过下酸管道下到酸洗盘上，酸液没过上钉头(相当于芯片上端面的夹具部件)使得反应充分，进而能使芯片侧表面的金属杂质去除得更加彻底，材料在高温下使用更加稳定，降低由于表面漏电的偏大而导致材料电性的不稳定。 | ||
| 搜索关键词： | 双氧水 清洗工艺 氨洗 氨水 二极管芯片 芯片侧表面 芯片 金属杂质去除 清洗液配方 漏电 充分混合 夹具部件 金属离子 清洗液 酸洗盘 重量比 上端 电性 钉头 混酸 爬电 酸液 配方 改进 | ||
【主权项】：
1.一种二极管芯片清洗工艺，依次包括混酸洗、双磷洗和氨洗，其特征在于，所述氨洗时的清洗液包括氨水、水和双氧水，它们的重量比是氨水0.5份∶水1.5份∶双氧水0.5份。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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