[发明专利]一种太阳能电池高透高导薄膜电极的制备方法在审
申请号: | 201811380335.5 | 申请日: | 2018-11-20 |
公开(公告)号: | CN109494304A | 公开(公告)日: | 2019-03-19 |
发明(设计)人: | 王育乔;印杰;卢明龙;孙岳明 | 申请(专利权)人: | 东南大学 |
主分类号: | H01L51/42 | 分类号: | H01L51/42;H01L51/44;C23C14/08;C23C14/35 |
代理公司: | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人: | 柏尚春 |
地址: | 210096 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明提供了一种太阳能电池高透高导薄膜电极的制备方法,包括a.太阳能电池高透高导薄膜电极过渡层的制备:b.太阳能电池高透高导薄膜电极集流层的制备:c.通过引入不锈钢网栅电极达到能量过滤的目的;d.由所述高透过渡层和高透高导集流层构成本发明的太阳能电池高透高导薄膜电极。此膜为复合双层结构,有效解决透明电极制备过程中高温对太阳能电池空穴传输材料的损伤难题,随后用能量过滤磁控溅射的方法在高透过渡层表面溅射一层高透高导的集流层,增加电极的导电性。通过采用过渡/集流的双层结构,钙钛矿‑晶硅两端叠层太阳电池光电转换效率增加20%。 | ||
搜索关键词: | 高导 太阳能电池 薄膜电极 制备 集流层 能量过滤 过渡层 电极 叠层太阳电池 复合双层结构 光电转换效率 空穴传输材料 不锈钢网栅 过渡层表面 导电性 磁控溅射 双层结构 透明电极 有效解决 制备过程 钙钛矿 中高温 溅射 晶硅 损伤 引入 | ||
【主权项】:
1.一种太阳能电池高透高导薄膜电极的制备方法,该方法包括以下步骤:a.太阳能电池高透高导薄膜电极过渡层的制备:采用低温低离子的真空蒸发镀膜方法在钙钛矿‑晶硅两端叠层太阳能电池空穴传输层表面制备金属氧化物高透过渡层,所述过渡层薄膜厚度为3‑30nm;b.太阳能电池高透高导薄膜电极集流层的制备:在已经制备好的高透过渡层表面,采用能量过滤磁控溅射的方法制备一层高透高导集流层,所述集流层厚度约为80‑150nm;c.通过引入不锈钢网栅电极达到能量过滤的目的,不锈钢网栅电极位于靶材和衬底之间,衬底和靶材间距为50‑70mm,不锈钢网栅电极与衬底间距控制为5‑15mm;d.由所述高透过渡层和高透高导集流层构成本发明的太阳能电池高透高导薄膜电极,厚度为83‑180nm。
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