[发明专利]一种中子源靶核心结构在审
| 申请号： | 201811312696.6 | 申请日： | 2018-11-06 |
| 公开（公告）号： | CN109637690A | 公开（公告）日： | 2019-04-16 |
| 发明（设计）人： | 钱铁威 | 申请（专利权）人： | 钱铁威 |
| 主分类号： | G21G4/02 | 分类号： | G21G4/02 |
| 代理公司： | 北京市领专知识产权代理有限公司 11590 | 代理人： | 林辉轮 |
| 地址： | 311800 浙江省绍兴*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种中子源靶核心结构，它包括冷却法兰，所述的冷却法兰右端面的中心位置设置有凹槽，所述的冷却法兰上凹槽的侧面上靠近其顶端和底端的位置分别连接有进水管道和出水管道，所述的冷却法兰的端面上凹槽的周围设置有螺栓孔A，所述的冷却法兰的右端面上固定有靶法兰，所述的靶法兰的右端面的中心位置设置有铍靶安装槽，所述的靶法兰上铍靶安装槽的周围与螺栓孔A相对应的位置设置有螺栓孔B，所述的铍靶安装槽内设置有铍靶；总的，本发明具有结构小巧、使用安全、可以实现核心靶的快速更换的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 冷却法兰 安装槽 螺栓孔 法兰 核心结构 中子源 出水管道 进水管道 快速更换 上凹槽 侧面 | ||
【主权项】：
1.一种中子源靶核心结构，它包括冷却法兰，其特征在于：所述的冷却法兰右端面的中心位置设置有凹槽，所述的冷却法兰上凹槽的侧面上靠近其顶端和底端的位置分别连接有进水管道和出水管道，所述的冷却法兰的端面上凹槽的周围设置有螺栓孔A，所述的冷却法兰的右端面上固定有靶法兰，所述的靶法兰的右端面的中心位置设置有铍靶安装槽，所述的靶法兰上铍靶安装槽的周围与螺栓孔A相对应的位置设置有螺栓孔B，所述的铍靶安装槽内设置有铍靶。
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- 吴宜灿 - 中国科学院合肥物质科学研究院
- 2017-02-14 - 2018-05-29 - G21G4/02
- 本申请公开一种气态靶中子源，包括：离子注入系统、差分真空系统和气态靶，所述离子注入系统用于产生单束或多束平行离子束流，所述单束或多束平行离子束流的包络小于所述差分真空系统的内径，所述差分真空系统用于将所述离子束流传输至所述气态靶；所述气态靶中包括反应气体，所述反应气体与所述离子束流发生聚变反应，产生中子，由于本申请中所述离子注入系统能够产生单束或多束平行离子束流，每束所述离子束流的包络小于所述差分真空系统的内径，使得所述单束离子束流包络小于差分真空系统中各个管道或法兰内径，避免束流轰击管壁造成能量损失，从而提高了到达气态靶的离子束流的流强，进而能够提高中子源的源强。
- 同位素中子源装置-201711264428.7
- 王广西;刘丙岩;赖万昌;葛良全;李丹;翟娟;杨强 - 成都理工大学
- 2017-12-04 - 2018-05-04 - G21G4/02
- 本发明涉及核领域，具体而言，提供了一种同位素中子源装置。该装置包括控制器、电机、转轴、壳体和多个中子源发生片。控制器与电机电连接，多个中子源发生片内置于壳体。每个中子源发生片的表面均包括Be区和241Am区。转轴的一端伸入壳体并依次穿过多个中子源发生片，转轴的另一端与电机连接。电机被用于响应控制器的控制带动转轴转动，转轴用于为在转动时带动多个中子源发生片中的部分中子源发生片转动。通过控制器控制电机转动带动转轴转动，通过转轴带动中子源发生片转动，从而改变各个中子源发生片之间Be区和241Am区的重叠区域的面积，达到改变同位素中子源强度的目的，操作方便，结构简单，成本低，实用性高。
- 一种适用于超高流强氘氚聚变中子源的高压差气态靶装置-201611229216.0
- 吴宜灿;王文;季翔;王永峰;刘超 - 中国科学院合肥物质科学研究院
- 2016-12-27 - 2018-03-27 - G21G4/02
- 本发明公开了一种适用于超高流强氘氚聚变中子源的高压差气态靶装置，包括加速器接口和反应气体腔室，还包括真空差分系统，包括二级差分室、一级差分室、小孔径长管道、以及小孔径法兰；束流约束装置，用于对小孔径长管道中的氘束流进行聚焦，使得束流包络小于小孔径长管道与小孔径法兰的内径；以及反应气体循环回收装置，通过真空泵与一级差分室和二级差分室连接，用于将真空泵排出的气体经过分离提纯后通过节流阀进入反应气体腔室，其中，自加速器接口离开的氘束流经过真空差分系统、实现加速器末端10‑5Pa量级至反应气体腔室103Pa量级的压强跨越后，与反应气体腔室内的氚气或氘气发生聚变反应，产生高能聚变中子，并对氚气或氘气在线提纯、回收、循环。
- 水平中子束照射方法、微型堆中子治疗装置及医疗系统-201711188925.3
- 徐刚;田力;邱清 - 北京新核医疗科技有限公司
- 2017-11-24 - 2018-03-13 - G21G4/02
- 本发明公开了一种水平中子束照射方法、微型堆中子治疗装置及医疗系统，涉及医疗器械技术领域，以解决现有的用于医院中子照射器的微型核反应堆无法治疗位于深层的肿瘤，或一座微型核反应堆仅有一个用于照射治疗深层肿瘤的孔道的技术问题。本发明所述的微型堆中子治疗装置，包括用于产生高超热中子通量的中子束流微型堆，其包括反应堆中心区，以及由内至外依次包围设置在其四周的侧铍反射层和燃料板；反应堆中心区由按三角形栅格或等距同心圆周排列的燃料棒组成，燃料棒由锆包壳和含有低浓铀的二氧化铀芯体构成；侧铍反射层的侧铍环的外侧具有多个均匀减薄的平面，均匀减薄的平面外侧布置含有低浓铀的燃料板，且二者之间设有水隙。
- 专利分类
